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安徽p型光伏組件和n型光伏組件-烈陽(yáng)光伏|點(diǎn)擊咨詢

電池組件的制作流程

高壓測(cè)試

高壓測(cè)試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓，測(cè)試組件的耐壓性和絕緣強(qiáng)度，以保證組件在惡劣的自然條件(雷擊等)下不被損壞。

組件測(cè)試

測(cè)試的目的是對(duì)電池的輸出功率進(jìn)行標(biāo)定，測(cè)試其輸出特性，確定組件的質(zhì)量等級(jí)。主要就是模擬太陽(yáng)光的測(cè)試(STC)，一般一塊電池板所需的測(cè)試時(shí)間在7-8秒左右。

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視頻作者：合肥烈陽(yáng)光伏技術(shù)有限公司

晶硅光伏組件安裝后，

暴曬50--100天，效率衰減約2--3%，此后衰減幅度大幅減緩并穩(wěn)定有每年衰減0.5--0.8%，20年衰減約20%。單晶組件衰減要約少于多晶組件。非晶光做組件的衰減約低于晶硅。

因此，提升轉(zhuǎn)化率、降低每瓦成本仍將是光伏未來(lái)發(fā)展的兩大主題。無(wú)論是哪種方式，大規(guī)模應(yīng)用如果能夠?qū)⑥D(zhuǎn)化率提升到30%，成本在每千瓦五千元以下(和水電相平)，那么人類將在核聚變發(fā)電研究成功之前得到為廣泛、清潔、廉價(jià)的幾乎無(wú)限的可靠新能源。

微晶硅(uc-Si)太陽(yáng)能板 

為了獲得具有高穩(wěn)定性的硅基薄膜太陽(yáng)能板，近年來(lái)又出現(xiàn)了微晶薄膜硅太陽(yáng)能板，微晶硅可以在接近室溫的低溫下制備，特別是使用大量氫氣稀釋的，可以生成晶粒尺寸10nm的微晶硅薄膜，薄膜厚度一一般在2 ～3um。到20世紀(jì)90年代中期,微晶硅電池的效率已經(jīng)超過(guò)非晶硅，達(dá)到10%以上,而且沒(méi)有出現(xiàn)光致效應(yīng)，但至今尚未達(dá)到大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的水平。現(xiàn)在已投人實(shí)際應(yīng)用的是以非晶硅太陽(yáng)電池為頂層、微晶硅太陽(yáng)能板為底層的(sipe-S5)疊層太陽(yáng)能板。目前微晶硅(B,=1eV)和非品硅(E.=1.7eV)的看層大電池轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過(guò)14，顯示出良好的應(yīng)用前景。然而，由于微品硅薄限中合有大量的非品鞋所以不能黎單品硅那樣直接形成PAN結(jié)面必須微成PIN結(jié)因此，如極放的來(lái)被缺街很低的本征法以及在溫度比較低的藝條件下制備非品社合很少的微品法集取，是今后進(jìn)一步提高微品硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。